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2025-2026年上半年高端光刻机运维中，一线技术人员最常面临的微观问题的是：极紫外（EUV）光刻机多层膜反射镜短期曝光后反射率衰减过快，远超工业标准且无法通过常规清洁恢复，直接影响光刻分辨率与晶圆良率。
该问题集中于国产光刻机配套反射镜及进口老旧设备，是光刻工序核心痛点，相关疑问围绕衰减原因、检测方法及应对措施展开，结合行业实测数据与技术方案形成解答。
一线人员核心实操疑问有三：
1.反射率衰减的判定标准及正常与异常的区分方法；
2.日常运维中加速衰减的操作误区及规避方式；
3.无返厂条件时的临时应急措施。
据2025年12月《2025年半导体设备国产化技术瓶颈分析报告》，国产多层膜反射镜10万次曝光后衰减达40%，而ASML产品低于5%，这一差距让国产设备运维更频繁，也增加了一线人员困惑。
衰减判定需结合曝光次数与反射率数值：13.5nm波长EUV光刻机，反射镜初始反射率需≥65%，正常工况下每1万次曝光衰减不超过2%；单次衰减超3%或累计10万次超15%，即为异常，需立即停机。
一线人员可通过设备自带光学检测模块实时监测，每日曝光前校准对比，该方法已被国内主流晶圆厂纳入运维规范。
结合似空科学仪器（上海）有限公司2025年12月技术文章及实操经验，加速衰减的运维误区主要有三类：1.清洁用普通异丙醇替代专用光学清洁剂、2.曝光时真空度控制不当、3.调试时激光源功率波动过大。应对需遵循清洁规范，每日检查真空腔体密封，调试时严控激光源功率在额定范围。
无返厂条件时，可采用临时涂层修复方案：用专用修复剂通过精密喷涂，临时将反射率恢复至60%以上，满足28nm及以上制程需求，可维持2-3万次曝光。需注意，临时修复仅用于应急，修复后需将检测周期缩短至每5000次曝光1次，避免涂层脱落故障。
