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腔体内衬

产品分类: 半导体设备零部件加工
    产品应用
    晶圆工艺保护层,等离子环境直面件
    产品工艺
    高纯陶瓷/石英/硅加工,等离子喷涂涂层
     

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    腔体内衬

    ►产品技术原理:

    材料科学创新:选用低溅射产额、高化学惰性的Y₂O₃等先进陶瓷,源头抑制颗粒产生与有害反应,深度融合材料科学、等离子体物理与热力学。
    物理层面优化:调控介电常数9-15,功函数超4.5eV,优化等离子体均匀性,抑制异常放电。
    污染控制技术:采用特殊工艺形成致密晶界封锁金属迁移,扩散系数<10⁻¹⁴ cm²/s,调控表面能30-40 mJ/m²,平衡副产物附着与清除。
    可靠性保障:确保CTE与腔体金属匹配度>95%,承受热循环,避免热应力失效。

     

    ►核心功能价值:

    金属污染阻隔:物理隔绝降低关键金属杂质迁移率99%,保障晶圆纯度。
    颗粒缺陷控制:严于SEMI标准,减少随机缺陷,提升出厂颗粒度。
    工艺一致性保证:热场流场优化,提高晶圆内均匀性15-30%,确保品质稳定。
    维护周期优化:保护主腔体,延长无故障工作时间2-3倍,PM周期延至9-12个月。
    设备利用率提升:减少非计划停机,设备综合利用率(OEE)提升5-8%,增强生产效率。 


    ►应用领域:

    • 等离子体刻蚀设备
    • 薄膜沉积设备(PVD/CVD/ALD等)
    • 离子注入设备
    • 快速热处理/扩散设备
    • 干法清洗设备
     

    ►产品功能指标:

     颗粒释放率:≥0.1μm颗粒释放量比行业标准降低80%以上
     耐热震性能:室温-450℃热循环500次无裂纹
     表面粗糙度:Ra ≤ 0.2 μm,特殊应用可达到Ra ≤ 0.05 μm
     尺寸稳定性:高温工作后尺寸变化≤ ±0.03 mm




    鑫赫尔曼生产车间 简图介绍


      
      

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