加热器_江苏鑫赫尔曼科技有限公司

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加热器

产品分类：半导体设备零部件加工

产品应用

热工艺腔室（CVD， ALD，退火），晶圆加热

产品工艺

陶瓷金属化封装，电阻丝/膜精密排布

订购热线：18118873236

产品详情

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加热器

►核心工艺价值：

工艺决定性参数：在CVD/ALD中，温度±1℃偏差可导致薄膜生长速率变化>3%
良率关键控制点：先进制程(<7nm)工艺需将温度控制在±1.5℃内，以防止CD偏差，确保高精度。
产能提升因素：快速升降温和短暂稳定期能直接增加设备吞吐量，显著提升效率。
工艺窗口扩展：加热器热稳定性佳，为新材料和工艺开发提供广阔操作空间，创新潜力大。

►技术原理与工作机制：

基于先进的热-电-控制一体化设计理念，通过多项核心技术确保热场精准可控：
高效热传导设计：采用AlN基板，热导率170-200 W/m·K，多层共烧工艺，热阻降40%，热量均匀扩散。
多区独立闭环控制：划分为6-32个控温区，集成高响应温度传感器，自适应模糊PID算法驱动，功率毫秒级调整，补偿边缘热损，超调<0.3%，稳态建立时间缩短30%。
功率与热管理优化：系统动态分配功率，集成高效水冷，待机低功耗，能耗降60%，高功率密度稳定运行。

►结构设计：

连接与密封技术：
陶瓷-金属封装：采用活性金属钎焊（AMB）技术，保障-196℃至450℃热循环密封可靠
电连接设计：大电流触点镀金处理（厚度>2μm），接触电阻<1mΩ
真空兼容性：整体漏率<5×10⁻¹⁰ mbar·L/s，适用10⁻³至10⁻⁸ Torr全真空范围

►关键性能参数：

温度控制性能：在400℃工作点下，控制精度达±0.25℃，长期运行1000小时温漂<±0.5℃。在300mm晶圆区域内，面内均匀性可达±1.0℃，批次重复性差异<1%。
电气与安全性能：在500VDC条件下，绝缘电阻>5000MΩ，耐压强度>3000VAC/分钟。功率输出稳定，支持动态功率调节。
可靠性与洁净度：通过3000次-40℃至工作温度快速热循环测试（ΔT>300℃/min）。无故障时间（MTBF）预计>75,000小时。产品洁净度符合SEMI F47标准，经VHP清洗后颗粒释放极低。

►应用领域：

• 等离子体刻蚀设备
• 薄膜沉积设备（PVD/CVD/ALD等）
• 离子注入设备
• 快速热处理/扩散设备
• 干法清洗设备

常见问题解决方案：

颗粒污染控制：特殊表面处理工艺，确保<0.1 particles/cm²/hour
温度漂移应对：内置自校准功能，每24小时自动校准传感器
突然失效预防：多层安全设计，包括过温保护（双重传感器）、过流保护、接地故障检测

鑫赫尔曼生产车间简图介绍

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